Indiumnitrid
| indiumnitrid | |
|---|---|
| Generel | |
| Systematisk navn |
Indiumnitrid (III). |
| Chem. formel | Kro |
| Fysiske egenskaber | |
| Stat | sorte krystaller |
| Molar masse | 128,83 g/ mol |
| Massefylde | 6,86-6,91 g/cm³ |
| Klassifikation | |
| Reg. CAS nummer | 25617-98-5 |
| PubChem | 117560 |
| Reg. EINECS nummer | 247-130-6 |
| SMIL | [Kro |
| InChI | InChI=1S/In.NNWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N |
| ChemSpider | 105058 |
| Data er baseret på standardbetingelser (25 °C, 100 kPa), medmindre andet er angivet. | |
Indiumnitrid ( InN ) er en binær uorganisk forbindelse af indiummetal og nitrogen med formlen InN, sorte krystaller.
Henter
- Nedbrydning af det komplekse natriumhexafluorindiat i en ammoniakatmosfære :
![{\displaystyle {\mathsf {Na_{3}[InF_{6}]+NH_{3}\ \xrightarrow {600^{o}C} \ InN+3NaF+3HF)).}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/67efe54254ecb0f67c25b0cb839f7cab4e7a7694)
- Nedbrydning af ammoniumhexafluorindiat :
![{\displaystyle {\mathsf {(NH_{4})_{3}[InF_{6}]\ \xrightarrow {600^{o}C} \ InN+2NH_{4}F+4HF)).}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/7e8175c6dd03b0dcc4127b4414d78daf321278df)
Fysiske egenskaber
Indiumnitrid danner sorte diamagnetiske hexagonale krystaller , rumgruppe P 6mc , celleparametre a = 0,3533 nm, c = 0,5692 nm, Z = 2.
En halvleder med et båndgab på ~0,7 eV, afhængigt af temperatur. Ved temperaturer under 4 K - superleder .
Ansøgning
Indiumnitrid tilsættes galliumnitrid i produktionen af ultraviolette blå lysdioder . Det er også lovende som materiale til solcellebatterier, med udnyttelse af lys med en bølgelængde på op til 1900 nm.
Lite [1] ratura
- Håndbog for en kemiker / Redaktion: Nikolsky B.P. m.fl. - 2. udg., rettet. - M. - L .: Kemi, 1966. - T. 1. - 1072 s.
- Ripan R., Chetyanu I. Uorganisk kemi. Kemi af metaller. - M . : Mir, 1971. - T. 1. - 561 s.
Noter
- ↑ T. Inushima, V. V. Mamutin, et al. [J.Cryst.Growth, 227/228, 481-485, 2001. Fysiske egenskaber af InN med båndgab lavere end 1,0 eV.] // Proc. af XI-th Intern.Conf. på MBE, Beijing, 2000. - 2000. - 1. september ( nr. 227/228 ). - S. 481-485 .