Indiumarsenid
| indiumarsenid | |
|---|---|
| Generel | |
| Chem. formel | InAs |
| Fysiske egenskaber | |
| Molar masse | 189,74 g/ mol |
| Massefylde | 5,68 g/cm³ |
| Termiske egenskaber | |
| Temperatur | |
| • smeltning | 942°C |
| Struktur | |
| Krystal struktur |
kubisk, sfalerit struktur a = 0,60584 nm |
| Klassifikation | |
| Reg. CAS nummer | 1303-11-3 |
| PubChem | 91500 |
| Reg. EINECS nummer | 215-115-3 |
| SMIL | [Som i] |
| InChI | InChI=1S/As.InRPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N |
| ChemSpider | 82621 |
| Sikkerhed | |
| NFPA 704 |
0
fire
0 |
| Data er baseret på standardbetingelser (25 °C, 100 kPa), medmindre andet er angivet. | |
| Mediefiler på Wikimedia Commons | |
Indiumarsenid er en binær uorganisk forbindelse af indium og arsen . Kemisk formel for forbindelsen InAs.
Det krystalliserer i en struktur af sphalerittypen .
Det er en direkte-gap- halvleder , der tilhører gruppen A III B V -halvledere . Ved 300 K har den et båndgab på omkring 0,35 eV .
Det bruges til fremstilling af mikrobølgetransistorer . Også LED'er og fotodioder , der opererer i det infrarøde område af elektromagnetisk stråling , magnetfelt Hall-sensorer , til at organisere ensembler af kvanteprikker i nogle halvlederenheder.
På grund af det lave båndgab fungerer de fleste halvlederenheder fremstillet af dette materiale kun ved kryogene eller meget lave temperaturer.