indiumarsenid | |
---|---|
Generel | |
Chem. formel | InAs |
Fysiske egenskaber | |
Molar masse | 189,74 g/ mol |
Massefylde | 5,68 g/cm³ |
Termiske egenskaber | |
Temperatur | |
• smeltning | 942°C |
Struktur | |
Krystal struktur |
kubisk, sfalerit struktur a = 0,60584 nm |
Klassifikation | |
Reg. CAS nummer | 1303-11-3 |
PubChem | 91500 |
Reg. EINECS nummer | 215-115-3 |
SMIL | [Som i] |
InChI | InChI=1S/As.InRPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N |
ChemSpider | 82621 |
Sikkerhed | |
NFPA 704 |
![]() |
Data er baseret på standardbetingelser (25 °C, 100 kPa), medmindre andet er angivet. | |
Mediefiler på Wikimedia Commons |
Indiumarsenid er en binær uorganisk forbindelse af indium og arsen . Kemisk formel for forbindelsen InAs.
Det krystalliserer i en struktur af sphalerittypen .
Det er en direkte-gap- halvleder , der tilhører gruppen A III B V -halvledere . Ved 300 K har den et båndgab på omkring 0,35 eV .
Det bruges til fremstilling af mikrobølgetransistorer . Også LED'er og fotodioder , der opererer i det infrarøde område af elektromagnetisk stråling , magnetfelt Hall-sensorer , til at organisere ensembler af kvanteprikker i nogle halvlederenheder.
På grund af det lave båndgab fungerer de fleste halvlederenheder fremstillet af dette materiale kun ved kryogene eller meget lave temperaturer.