Institut for højstrømselektronik SB RAS
Den aktuelle version af siden er endnu ikke blevet gennemgået af erfarne bidragydere og kan afvige væsentligt fra den
version , der blev gennemgået den 3. januar 2017; checks kræver
5 redigeringer .
Institutionen for det russiske videnskabsakademi Institut for højstrømselektronik, Sibirisk filial af det russiske videnskabsakademi
( ISE SB RAS ) |
|---|
| Grundlagt |
1977 |
| Direktør |
Nikolai Aleksandrovich Ratakhin , professor [1] |
| Medarbejdere |
130 [2] |
| Beliggenhed |
Rusland ,Tomsk |
| Juridisk adresse |
634055, Tomsk, Akademichesky Ave., 2/3 |
| Internet side |
hcei.tsc.ru |
Instituttet for højstrømselektronik i SB RAS er et af institutterne i Tomsk Scientific Center i den sibiriske afdeling af det russiske videnskabsakademi . Beliggende i Tomsk Academic City .
Generel information
Instituttets hovedområder for videnskabelig aktivitet er udviklingen af højstrøms elektroniske enheder, problemerne med fysisk elektronik, enheder og teknologier samt fysikken i lavtemperaturplasma og det grundlæggende i dets anvendelse i teknologiske processer og andre moderne problemer med plasmafysik [3] .
Udvikling
I 1977 blev kraftfulde kompakte generatorer af lineært polariserede ensrettede stråler af ultrabredbånds elektromagnetisk stråling med nanosekund og subnanosekund pulsvarighed skabt på forskningsinstituttet. Udviklingen er udført som led i en undersøgelse af effekten af superstærke giga- og terawatt elektriske impulser på elektronisk udstyr [4] .
Historie
Instituttet blev etableret i 1977 i Tomsk Academic City [2] .
Direktører
Instituttet blev ledet af [2] :
Struktur
- Institut for Impulsteknologi - Leder af laboratoriet og derefter leder af afdelingen for den nuværende doktor i tekniske videnskaber, akademiker ved det russiske videnskabsakademi Kovalchuk, Boris Mikhailovich [5]
- Department of High Energy Densities (grundlægger og første leder af laboratoriet og afdelingen Luchinsky, Andrey Vladimirovich [6] )
- Institut for Fysisk Elektronik
- Laboratory of Plasma Emission Electronics (ledere: P. M. Shchanin, indtil maj 2001, og derefter N. N. Koval) [7]
- Laboratorium for højfrekvent elektronik (fra 1977 til 1986 blev det ledet af akademiker S.P. Bugaev og derefter doktor i fysik og matematik V.I. Koshelev) [8]
- Vakuumelektroniklaboratorium
- Laboratorium for gaslasere
- Laboratorium for optiske emissioner
- Lavtemperaturplasmalaboratorium
- Anvendt Elektroniklaboratorium
- Teoretisk Fysik Laboratorium
- Plasma Kilder Laboratory
- Design og Teknologi afdeling
- Research Automation Group
Direktoratet
Se også
Noter
- ↑ 1 2 Retningslinjer for ISE SB RAS . Hentet 9. oktober 2010. Arkiveret fra originalen 30. marts 2017. (ubestemt)
- ↑ 1 2 3 http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/history/history.html Arkivkopi dateret 30. november 2009 på Wayback Machine History of Institute of High Current Electronics SB RAS]
- ↑ De vigtigste retninger for videnskabelig aktivitet ved Institut for Højstrømselektronik i den sibiriske afdeling af Det Russiske Videnskabsakademi . Hentet 9. oktober 2010. Arkiveret fra originalen 2. marts 2014. (ubestemt)
- ↑ Gurevich V. I. “Mikroprocessorbeskyttelsesrelæer. Enheder. Problemer. Perspektiver. "Infra-Engineering", 2011
- ↑ Institut for impulsteknologi . Hentet 9. oktober 2010. Arkiveret fra originalen 28. oktober 2009. (ubestemt)
- ↑ Institut for VPE . Hentet 24. oktober 2018. Arkiveret fra originalen 24. oktober 2018. (ubestemt)
- ↑ Laboratorium for plasmaemissionselektronik . Hentet 9. oktober 2010. Arkiveret fra originalen 28. oktober 2009. (ubestemt)
- ↑ Laboratorium for højfrekvent elektronik . Hentet 9. oktober 2010. Arkiveret fra originalen 28. oktober 2009. (ubestemt)
- ↑ Direktoratet for ISE SB RAS . Hentet 9. oktober 2010. Arkiveret fra originalen 18. april 2009. (ubestemt)
Links