Ratakhin, Nikolai Alexandrovich

Nikolai Aleksandrovich Ratakhin
Fødselsdato	24. december 1950 (71 år)( 1950-12-24 )
Fødselssted	Med. Novotroitsk, Irkutsk-regionen , Tulunsky-distriktet, Irkutsk-regionen
Land	USSR → Rusland
Videnskabelig sfære	plasmafysik
Arbejdsplads	Institute of High Current Electronics SB RAS , FIAN , Tomsk Polytechnic universitet
Alma Mater	NSU
Akademisk grad	Doktor i fysiske og matematiske videnskaber (2000)
Akademisk titel	Professor korresponderende medlem af det russiske videnskabsakademi (2006) akademiker i det russiske videnskabsakademi (2016)
Priser og præmier

Nikolai Aleksandrovich Ratakhin (født 1950) er en sovjetisk og russisk fysiker , specialist inden for pulserende energi og fysik af ekstreme materiens tilstande, tilsvarende medlem af Det Russiske Videnskabsakademi (2006), akademiker ved Det Russiske Videnskabsakademi (2016) ).

Biografi

Født 24. december 1950 i landsbyen. Novotroitsk , Tulunsky-distriktet, Irkutsk-regionen [1] .

I 1973 dimitterede han fra fakultetet for fysik ved Novosibirsk State University [1] .

Han har arbejdet i den sibiriske gren siden 1973, efter at være gået fra en forskerelev til direktør for Instituttet for højstrømselektronik i den sibiriske gren af ​​det russiske videnskabsakademi (siden 2006) [1] .

Udfører undervisningsaktiviteter ved Institut for Plasmafysik ved Tomsk State University , og siden 2005 - Tomsk Polytekniske Universitet (TPU), siden 2006 - Leder af Institut for højstrømselektronik i TPU [1] .

I 2006 blev han valgt til et tilsvarende medlem af det russiske videnskabsakademi.

I 2016 blev han valgt til akademiker ved Det Russiske Videnskabsakademi.

Videnskabelig aktivitet

Hovedretningen for videnskabelig aktivitet er studiet af effektive metoder til at komprimere elektrisk energi og dens omdannelse til kraftige strømme af ladede partikler og røntgenstråler i et bredt spektralområde [1] .

Sammen med personalet fra A. F. Ioffe Fysisk-Tekniske Institut udførte han direkte målinger af plasmas karakteristika (n e , T e ) (ved hjælp af laserspredningsmetoden) i højstrømsdioder med eksplosiv elektronemission [1] .

Under hans ledelse blev der udviklet en række originale nanosekund megaampere installationer (SNOP-3, SGM, MIG) af terawatt effektområdet, som ikke har nogen analoger i en række parametre, en unik MIG installation blev skabt, hvor næsten alle kendte metoder til at generere kraftige impulser (elektrisk eksplosiv og plasma-afbryderstrøm, brugen af ​​en lineær impulstransformator, teknologien til vanddannende linjer osv.), som gjorde det muligt at implementere en bred vifte af elektriske impulser med en høj koefficient [1 ] .

Medlem af det fælles videnskabelige råd for fysiske og tekniske videnskaber i den sibiriske gren af ​​det russiske videnskabsakademi, den tværsektorielle konkurrencekommission for fonden for bistand til udvikling af små virksomheder inden for den videnskabelige og tekniske sfære [1] .

Under hans ledelse blev 3 kandidat- og 1 doktorafhandling forsvaret [2] .

Større værker [1]

• MIG-anlægget er en universel røntgenkilde, Vopr. atom. videnskab og teknologi. 2001. Udgave 3-4. S.3-4 (medforfatter)
• Deuterium liner og multiparameter undersøgelse af dannelsen af ​​en invers Z-pinch, Zh. tech. fysik. 2002. V.72, udgave 9. s.29-37 (medforfatter)
• Precursor-fænomen i wire arrays: Model og eksperiment // Laser- og partikelstråler. 2001. Vol.19. R.443-449 (co-author.)
• De astrofysiske S-faktor dd-reaktioner ved keV-energiområdet // Kerntechnik. 2001. bind 66, N 1-2. R.42-46 (co-author.)
• Om muligheden for komprimering til materialer multimegabar ved megaampere-strømme med stigetider på titusinder af nanosekunder // Proc. af "MEGAGAUSS-9". 2005. S.116-118.

Priser [2]

• Arbejdets Røde Banner (1990)
• JINR First Prize (2001) - for værket "Undersøgelse af reaktioner mellem lette kerner i området med ultralave energier ved hjælp af linerplasma" [2]

Noter

1. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Kompileret af E. G. Vodichev et al. Russian Academy of Sciences. Sibirisk gren: Personlig sammensætning / V. M. Fomin . - Novosibirsk: Nauka, 2007. - S. 480-481. — 601 s. - ISBN 978-5-02-032106-9 .
2. ↑ 1 2 3 Institute of High Current Electronics SB RAS . hcei.tsc.ru. Hentet 20. juni 2017. Arkiveret fra originalen 12. juni 2017. (ubestemt)

Links

• Profil af Nikolai Aleksandrovich Ratakhin på den officielle hjemmeside for det russiske videnskabsakademi
• Ratakhin Nikolai Aleksandrovich (IS ARAN) . isaran.ru. Hentet: 20. juni 2017. (ubestemt)
• Ratakhin N.A. // som medlem af FIAN.
• Akademiker Nikolai Aleksandrovich Ratakhin er 70 år gammel! // RAS, 24.12.2020

Tematiske steder	All-russisk matematisk portal