Shveikin, Vasily Ivanovich
| Vasily Ivanovich Shveikin | |
|---|---|
| Fødselsdato | 4. februar 1935 |
| Dødsdato | 4. januar 2018 (82 år) |
| Videnskabelig sfære | halvlederlasere |
| Arbejdsplads | Forskningsinstituttet "Polyus" opkaldt efter M. F. Stelmakh |
| Priser og præmier |
  |
Vasily Ivanovich Shveikin (02/04/1935 - 01/04/2018) - sovjetisk og russisk videnskabsmand, grundlægger af retningen for halvlederlasere ved Polyus Research Institute opkaldt efter M. F. Stelmakh , doktor i tekniske videnskaber, professor, prismodtager i Lenin Præmie .
Født den 02/04/1935 i Moskva.
Han dimitterede fra fakultetet for fysik ved Moscow State University (1958) og hans postgraduate studier, i 1961 forsvarede han sin ph.d.-afhandling. Han arbejdede der som juniorforsker. Han foreslog en metode til at skabe injektionslasere på halvlederstrukturer (forfattercertifikat med prioritet dateret 25.11.1961).
Fra oktober 1962 til 2003 - ved Polyus Research Institute: juniorforsker, seniorforsker - laboratoriechef (1963), leder af halvlederlaserafdelingen (1974-1994), siden 2001 chefforsker.
Under hans ledelse i 1965 blev den første industrielle laserdiode LD-1 og Kometa halvlederkvantegeneratoren skabt.
Fra 1978 til 1990 var han chefdesigner af retningen af halvlederlasere fra Ministeriet for Elektronisk Industri i USSR.
Grundlægger af den grundlæggende afdeling af MIREA på Polyus Research Institute og dets første leder. Doktor i tekniske videnskaber, professor.
Lenin-prisen blev uddelt i 1972 for udvikling og mastering af halvlederlasere som en del af et team af forfattere. Han blev tildelt Order of the Red Banner of Labor og medaljer.
Han døde den 4. januar 2018 efter en svær og langvarig sygdom.