Liste over mikroelektroniske industrier

Den aktuelle version af siden er endnu ikke blevet gennemgået af erfarne bidragydere og kan afvige væsentligt fra den version , der blev gennemgået den 8. august 2022; checks kræver 10 redigeringer .

Denne liste indeholder nogle af de største industrielle fabrikker, der producerer mikroelektronisk udstyr. Kun opererende fabrikker beskæftiger sig med fremstilling af VLSI - halvlederstrukturer er angivet . For nogle fabrikker er den maksimale produktivitet angivet af virksomhederne.

I Rusland og SNG

Mikroelektronisk produktion i Rusland [1] :

Selskab Fabriksnavn Beliggenhed omtrentlige omkostninger Start af produktion Tallerkendiameter, mm Procesteknologi , nm Produktivitet, plader om måneden
NM-Tech tidligere Angstrem-T anlæg [1] (genvinding af produktion ved hjælp af Mikron [2] [3] [4] [5] ) Zelenograd 45 milliarder rubler [6] + 355 millioner rubler + 8,4 milliarder rubler 5. august 2016 startede produktionen [7] . 2019 - stop på grund af konkurs. 2023 - planlagt at genoptage 200 [6] 250-110 [2] [6] (op til 90 nm muligt) 20000 [2] [6]
angststrøm Linje 150 Zelenograd 150 600 (KNS/SOI) 8000 [8]
Linje 100 Zelenograd 100 1200 (KNS) 4000 [8]
NIIME og Mikron Micron Zelenograd ~400 millioner $ [9] 2012 200 90 (masse)

65 (eksperimentel)

3000 [10]
Micron Zelenograd 2009 [11] 200 180
MIET og Micron Micron Zelenograd 2024-2030 [12] 28
Crocus Nanoelectronics (KNE) [1] Moskva (AZLK) $200 millioner [13] 2016 [14] 200/300 90/55
kun MRAM - lag [15]		 op til 4000
NIIIS [1] Nizhny Novgorod 150 Masker, MEMS, mikroovn
NPK "Teknologisk Center" Zelenograd 100
Istok [1] Fryazino 150 mm
Mikran [1] Tomsk 25. marts 2015 [16] . 100 mm
Silicon EL gruppe [17] Bryansk 19. marts 2019 500
VZPP-Mikron Voronezh 100/150 mm
Svetlana-halvledere [18] Sankt Petersborg
VZPP-S [19] Voronezh
Syntese mikroelektronik [20] Voronezh 200 350
NZPP med OKB [21] og NPP Vostok Novosibirsk 100 mm 180/250 [22]
Forskningsinstitut for Systemforskning RAS [23] Moskva 250/350/500 småskala produktion, pilotpartier
Proton [24] Ørn
NPP Pulsar [25] Moskva
Russiske rumsystemer [26] Moskva 76,2/100/150 1000
Ruseelektronik Svetlana-Rost Sankt Petersborg 50,8/76,2/100 200/500/800/1000
Svetlana-Elektronpribor [27] Svetlana-Elektronpribor Sankt Petersborg
Research Institute of Semiconductor Devices [28] Tomsk
Central Design Bureau of Automation [29] Omsk 900
ADGEX [30] Sankt Petersborg 12.5 500
JSC OKB-Planeta Velikiy Novgorod 100 150

I Hviderusland har virksomheden Integral (Minsk) mikroelektronisk produktion : [31] [32] [33] [34] [35]

I andre lande

Selskab Fabriksnavn Beliggenhed Estimeret pris, milliarder dollars Start af produktion Tallerkendiameter, mm Procesteknologi , nm Produktivitet, plader om måneden
Intel D1D [36] Hillsboro, Oregon, USA 2003 300 22
Intel D1C [36] Hillsboro, Oregon, USA 2001 300 32
Intel D1X [37] Hillsboro, Oregon, USA 2013 300 22
Intel Fab 12 [36] Chandler, Arizona, USA 1996 300 65
Intel Fab 32 [36] [38] Chandler, Arizona, USA 3 2007 300 45
Intel Fab 32 [36] [39] Chandler, Arizona, USA 300 32/22 _
Intel Fab 42 [40] [41] Chandler, Arizona, USA 5 2020 [42] 300 ti
Intel Fab 11x [36] Rio Rancho, New Mexico, USA 2002 300 32
Intel Fab 11x [36] Rio Rancho, New Mexico, USA 2002 300 45
Intel Fab 17 [36] Hudson, Massachusetts, USA 1998 200
Intel Fab 10 [36] Irland 1994 200
Intel Fab 14 [36] Irland 1998 200
Intel Fab 24 [36] Irland 2006 300 65
Intel Fab 24 [36] Irland 2006 300 90
Intel Fab 28 [36] Kiryat Gat, Israel 2008 300 45/22 _
Intel Fab 68 [36] [43] Kina 2.5 2010 300 65
Motorola MOTOFAB1 [44] Mexico 2002
Micron Virginia, USA 300
GlobalFoundries Fab 1 [45] Dresden, Tyskland 2.5 2005 300 45 eller mindre 80.000
GlobalFoundries Fab 7 [45] Singapore 300 130 - 40 50.000
GlobalFoundries Fab 8 [45] [46] Malta, NY, USA 4.6 2012 300 28 60.000
GlobalFoundries Fab 2 [47] Singapore 200 600-350 50.000
GlobalFoundries Fab 3/5 [48] Singapore 200 350-180 54.000
GlobalFoundries Fab 3E [47] Singapore 200 180 34.000
GlobalFoundries Fab 6 [47] Singapore 200 110 45.000
GlobalFoundries Fab 9 [49] Abu Dhabi, De Forenede Arabiske Emirater 2015
TSMC Fab 2 [50] Hsinchu, Taiwan 150
TSMC Fab 3 Hsinchu, Taiwan 200
TSMC Fab 5 Hsinchu, Taiwan 200
TSMC Fab 6 Taiwan 200
TSMC Fab 8 Hsinchu, Taiwan 200
TSMC Fab 10 Shanghai, Kina 200
TSMC Fab 12 Hsinchu, Taiwan 300 28
TSMC Fab 12 Hsinchu, Taiwan 300 22
TSMC Fab 12 (P4) Hsinchu, Taiwan
TSMC Fab 14 Taiwan 300 28
TSMC WaferTech Fab 14 Camas, Washington, USA 200
TSMC Fab 15 [51] Taichung, Taiwan 4. kvartal 2011 300 28
TSMC Fab 15 [51] Taichung, Taiwan udgangen af ​​2011 300 tyve
TSMC Fab 16 Taichung, Taiwan Plan 300 28
UMC Fab 6A Hsinchu, Taiwan 150
UMC Fab 8AB Hsinchu, Taiwan 200
UMC Fab 8C Hsinchu, Taiwan 200
UMC Fed 8D Hsinchu, Taiwan 200
UMC Fab 8E Hsinchu, Taiwan 200
UMC Fab 8F Hsinchu, Taiwan 200
UMC Fab 8S Hsinchu, Taiwan 200
UMC Fab 12A Taiwan 300
UMC Fab 12 Singapore 300
Vanguard International Semiconductor Corporation Fab 1 Taiwan, Hsinchu 200
Vanguard International Semiconductor Corporation fed 2 Taiwan, Hsinchu 200
IM Flash IM Flash [52] Singapore 2011.04 300 25
IM Flash IM Flash Lehi, Utah, USA 300 tyve
IM Flash IM Flash Manassas, Virginia, USA
NXP Semiconductors DHAM [53] Tyskland, Hamborg
NXP Semiconductors Kina
NXP Semiconductors Storbritannien, Manchester
NXP Semiconductors ICN8 Holland, Nijmegen
NXP Semiconductors SSMC Singapore
IBM Bygning 323 [54] [55] East Fishkill, NY, USA 2.5 2002 300
IBM Burlington Fab Essex Junction, VT, USA 200
STMicroelectronics Crolles 1 / Crolles 200 Crolles , Frankrig 1993 200
STMicroelectronics Crolles 2 Crolles , Frankrig 2003 300 90
STMicroelectronics Crolles 2 Crolles , Frankrig 300 65
STMicroelectronics Crolles 2 Crolles , Frankrig 300 45
STMicroelectronics Crolles 2 Crolles , Frankrig 300 32
STMicroelectronics Agrate Agrate Brianza , Italien 200
STMicroelectronics catania Catania , Italien 1997 200
STMicroelectronics Rousset Rousset , Frankrig 2000 200
CNSE NanoFab 300 North [56] Albany, NY, USA .175 2005 300 65
CNSE NanoFab 300 North [56] Albany, NY, USA 300 45
CNSE NanoFab 300 North [56] Albany, NY, USA 300 32
CNSE NanoFab 300 North [56] Albany, NY, USA 300 22
CNSE NanoFab 300 South [56] Albany, NY, USA .050 2004 300 22
CNSE NanoFab 200 [57] Albany, NY, USA .016 1997 200
CNSE NanoFab Central [56] Albany, NY, USA .150 2009 300 22
Powerchip halvleder Memory Foundry [58] Taiwan 300 90
Powerchip halvleder Memory Foundry [58] Taiwan 300 70
Freescale Semiconductor ATMC [59] Austin , TX, USA 1995 200 90
Freescale Semiconductor Chandler Fab [60] Chandler, Arizona, USA 1.1 [61] 1993 200 180
Freescale Semiconductor Oak Hill Fab [62] Austin , TX, USA .8 [63] 1991 200 250
Freescale Semiconductor sendai fab [64] Sendai, Japan 1987 150 500
Freescale Semiconductor Toulouse Fab [65] Toulouse, Frankrig 1969 150 650
SMIC S1 Mega Fab [66] Shanghai, Kina 200 90 94 tusind i alt på S1 [67]
SMIC S1 Mega Fab [66] Shanghai, Kina 200 350
SMIC S1 Mega Fab [66] Shanghai, Kina 200 90
SMIC S2 [66] Shanghai, Kina 300 45/40
SMIC Fab 8 Shanghai, Kina 200 45-28 nm 15 tusinde i alt på F8 [67]
SMIC Shanghai, Kina [68] 2,25 [69] 2019 14nm
SMIC B1 Mega Fab [66] Beijing, Kina 2004 300 130
SMIC B1 Mega Fab [66] Beijing, Kina 2004 300 65/55 36 tusind i alt på B1 [67]
SMIC Fab 7 [66] Tianjin, Kina 2004 200 350 39 tusind i alt på F7 [67]
SMIC Fab 7 [66] Tianjin, Kina 200 130
winbond Hukommelsesproduktstøberi [70] Taichung, Taiwan 300 90
winbond Hukommelsesproduktstøberi [70] Taichung, Taiwan 300 65
MagnaChip F-5 [71] Cheongju, Sydkorea 2005 200 130
ProMOS Fab 4 [72] [73] Taichung, Taiwan 1.6 300 70
Telefunken Semiconductors Heilbronn Heilbronn, Tyskland 150 10.000
Telefunken Semiconductors roseville fab [74] Roseville, CA 200
Hynix M7 [75] Icheon, Sydkorea 200
Hynix M8 [75] Cheongju, Sydkorea 200
Hynix M9 [75] Cheongju, Sydkorea 200
Hynix E1 [75] Eugene, OR, USA 200
Hynix HC1 [75] Wuxi, Kina 200
Fujitsu Fab nr. 1 [76] Mie-præfekturet, Japan 2005 300 90/65 _ _ 15.000
Fujitsu Fab nr. 2 [76] Mie-præfekturet, Japan 2007 300 90/65 _ _ 25.000
Cypress minnesota fab Bloomington, MN, USA 65
Cypress Semiconductor minnesota fab Bloomington, MN, USA 90
Cypress Semiconductor minnesota fab Bloomington, MN, USA 130
Cypress Semiconductor minnesota fab Bloomington, MN, USA 180
Cypress Semiconductor minnesota fab Bloomington, MN, USA 250
Cypress minnesota fab Bloomington, MN, USA 1991 350
ON Gresham [77] Gresham, OR, USA Fremtid 200 65
ON Gresham [77] Gresham, OR, USA 200 130
ON [ 78 ] Pocatello, USA ID 200 350
ON [ 78 ] Pocatello, USA ID 200 5000
National Semiconductor Greenock [79] Greenock, Skotland 150 20,833
National Semiconductor South Portland [80] South Portland, ME, USA .932 1997 350
National Semiconductor South Portland [80] South Portland, ME, USA 250
National Semiconductor South Portland [80] South Portland, ME, USA 180
National Semiconductor Vest Jordan West Jordan, UT, USA 1977 102
National Semiconductor Arlington Arlington, TX, USA 1985 152
Samsung Linje-16 [81] Hwaseong, Sydkorea 2011 300 tyve 12.000
Samsung S2 [82] Austin , TX, USA 2011 300 32 40.000
Tårn Fab 1 [83] Migdal Haemek, Israel 1989 150 [84] 350-1000
Tårn Fab 2 [83] Migdal Haemek, Israel 2003 200 [84] 130-180
Tårn Fab 3 [83] Newport Beach, Californien, USA 1967 200 [85] 130-500 17.000
Tårn Fab 4 [83] [86] Japan, Nishiwaki City
Tårn Agrate, Italien 300 [84] 65
Tårn Fab 9 [87] San Antonio, TX, USA 200 [84] 180
TPSCo [88] ( Tower Semiconductor & NTCJ ) Uozu fabelagtig Uozu-byen Toyama, Japan 1984 300 [84] 65-45
TPSCo [88] ( Tower Semiconductor & NTCJ ) Tonami fantastisk Tonami, Toyama, Japan 1994 200 [84] 150-350

Noter

  1. ↑ 1 2 3 4 5 6 Halvledermarkedsopdatering Rusland - nov 2012  (eng.)  (utilgængeligt link) . SEMI Europe (november 2012). Hentet 3. december 2013. Arkiveret fra originalen 25. oktober 2013.
  2. ↑ 1 2 3 Mikron og arvingen til Angstrem-T's kapacitet samledes for at producere "suveræne" Mir-kortchips og biometriske pas . cnews.ru . Dato for adgang: 5. oktober 2022.
  3. ↑ Angstrem-T er konkurs. Officielt anerkendt . https://www.cnews.ru/ (28.10.2019). Hentet 6. november 2019. Arkiveret fra originalen 30. oktober 2019.
  4. ↑ Anastasia Stepanova. Angstrem-T mikroelektronikfabrikken er konkurs: hvad med budgetmilliarderne? . regnum.ru (11/05/2019). Hentet 6. november 2019. Arkiveret fra originalen 17. april 2020.
  5. ↑ Genstartet sag . " Kommersant " (23. juni 2021). Hentet 24. december 2021. Arkiveret fra originalen 24. december 2021.
  6. ↑ 1 2 3 4 Årsrapport for Angstrem-T Open Joint Stock Company for 2008 Arkiveksemplar dateret 15. januar 2014 på Wayback Machine , 30/05/2008,Originaltekst  (russisk)[ Visskjule] virksomheden er beregnet til produktion af integrerede kredsløb på wafere med en diameter på 200 mm ved hjælp af moderne teknologiske processer med minimumsdesignstandarder på 130-110 nm. … De samlede omkostninger ved projektet er omkring 45 milliarder rubler.
  7. ↑ Angstrem-T fabrik sat i kommerciel drift (utilgængeligt link) . Hentet 7. august 2016. Arkiveret fra originalen 10. august 2016. 
  8. ↑ 1 2 Produktionsbase / Krystalproduktion Arkiveret 13. januar 2013 på Wayback Machine // Angstrem
  9. ↑ David Manners, ST, Mikron afslutter 90nm jv fab i år // Electronics Weekly, 1. marts 2011
  10. ↑ Rosnano og SITRONICS, 2012 .
  11. ↑ JSC Mikron, Erfaring med 90nm teknologioverførsel og opgradering af faciliteter Arkiveret 25. maj 2015 på Wayback Machine // Andrey Golushko (JSC Mikron), Semicon Russia Conference, maj  2012
  12. ↑ Opførelsen af ​​en fabrik til produktion af processorer ved hjælp af 28 nm teknologi begyndte i Rusland . cnews.ru . Hentet: 20. september 2022.
  13. ↑ Porteføljeselskabet RUSNANO, 2013 .
  14. ↑ Om virksomheden . Hentet 28. februar 2018. Arkiveret fra originalen 24. august 2018.
  15. ↑ Produktionsteknologier . Hentet 28. februar 2018. Arkiveret fra originalen 24. august 2018.
  16. ↑ åbnede onsdag en radioelektronikfabrik i Tomsk
  17. ↑ Kilde . Hentet 29. marts 2019. Arkiveret fra originalen 29. marts 2019.
  18. ↑ Micron konsoliderer produktionen af ​​mikroelektronik: Svetlana-Semiconductors-fabrikken blev en del af gruppen . Hentet 18. april 2022. Arkiveret fra originalen 2. juli 2019.
  19. ↑ JSC "VZPP-S" - Voronezh-anlæg af halvlederenheder . Hentet 29. marts 2019. Arkiveret fra originalen 29. marts 2019.
  20. ↑ Syntese mikroelektronik . Hentet 29. marts 2019. Arkiveret fra originalen 29. marts 2019.
  21. ↑ Kilde . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 16. januar 2022.
  22. ↑ Teknisk omudstyr af mikroelektronikklyngen er planlagt til at være afsluttet i 2020. | Infopro54 - Nyheder om Novosibirsk. Nyheder om Sibirien . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 19. april 2019.
  23. ↑ Kilde . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 19. april 2019.
  24. ↑ Produkter fra Proton JSC . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 19. april 2019.
  25. ↑ Hjem . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 19. april 2019.
  26. ↑ Russiske rumsystemer - Leder af ruminstrumentering i Rusland . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 17. april 2019.
  27. ↑ Arkiveret kopi (link ikke tilgængeligt) . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 2. januar 2018. 
  28. ↑ Kilde . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 19. april 2019.
  29. ↑ Kilde . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 19. april 2019.
  30. ↑ Kilde . Hentet 19. april 2019. Arkiveret fra originalen 19. april 2019.
  31. ↑ Sektion 1 ØKONOMISK OPDATERING OG PROGNOSE FOR VERDENSOMHEDEN IC INDUSTRI Arkiveret 28. maj 2015 på Wayback Machine af STATUS 1997 // Integrated Circuit Engineering Corporation, ISBN 1-877750-56-5 , side 1-408, 1-408, 1-408, 1-418 , 1-42,  (engelsk) Originaltekst  (engelsk)[ Visskjule] Integral - har den eneste operationelle klasse 10 facilitet i det tidligere USSR, … ude af stand til at fungere effektivt under 1,5 µm opløsning. Indtil Angstrem var det også det eneste tidligere østeuropæiske anlæg, der var i stand til at behandle 150 mm wafers.
  32. ↑ Smith, Sonnenfeld, Pellow, 2006 .Originaltekst  (engelsk)[ Visskjule] I midten af ​​1990'erne var det vigtigste hviderussiske halvlederkonsortium, Integral, det største østeuropæiske halvlederfirma. Alle seks nøglefabrikker var baseret i Minsk .
  33. ↑ 1 2 Ruslands teknologiindustri går ind i en ny æra  (engelsk) , SEMI (2008). Arkiveret fra originalen den 23. september 2015. Hentet 28. maj 2015.  "Originaltekst  (engelsk)[ Visskjule] 5. ... statsfinansieret halvlederproduktionsprojekt er planlagt i Integral, Hviderusland. Projektet er en CMOS-proces med teknologiniveau på 0,35 mikron, waferstørrelse på 200 mm og indledende produktionsvolumen på 1.000 wafers om måneden med planlagt udvidelse op til 2.000 per måned ".
  34. ↑ Integral, 2010 .
  35. ↑ INTEGRAL Aktieselskab. Arkiveret 28. maj 2015 på Wayback Machine // INTEGRAL, 2012: “Produktionskapaciteter. Wafer fabs", slides 5, 6  (eng.)
  36. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Intel Global Manufacturing Facts Arkiveret 24. januar 2013 på Wayback Machine , 2011
  37. ↑ Intel annoncerer investering på flere milliarder dollar i næste generations produktion i USA . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 28. oktober 2011.
  38. ↑ Intels $3 milliarder Fab er nu åben for erhvervslivet
  39. ↑ [ PRESSEKIT - Fab 32  (eng.) . Hentet 5. januar 2014. Arkiveret fra originalen 4. oktober 2013. PRESSEKIT - Fab 32 
  40. ↑ Intel vil investere mere end $5 milliarder i at bygge ny fabrik i Arizona . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 5. november 2011.
  41. ↑ Intels nye $5 milliarder fabrik i Arizona har Obamas velsignelse . https://www.usatoday.com.+ Hentet 28. marts 0201. Arkiveret fra originalen 27. oktober 2012.
  42. ↑ Intel lancerer endelig massiv 10nm-produktion på New Fab 42 Fab 42, 9 år i konstruktion Arkiveret 3. november 2020 på Wayback Machine . 3DNews , 07.10.2020
  43. ↑ Intel åbner $2,5 milliarder Fab-fabrik i Kina
  44. ↑ Eksport og lokal udvikling ... - Patricia Ann Wilson Arkiveret 23. marts 2017 på Wayback Machine : Motorola Plant Reference i en bog
  45. ↑ 1 2 3 300 mm Manufacturing Arkiveret 4. maj 2012 på Wayback Machine // GlobalFoundries
  46. ↑ Verdens mest avancerede halvlederstøberi til at bruge GE's vandrensningssystem , The Street (14. juni 2010). Arkiveret fra originalen den 11. oktober 2012. Hentet 1. juni 2011.
  47. ↑ 1 2 3 200 mm . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 4. maj 2012.
  48. ↑ 200 mm . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 4. maj 2012.
  49. ↑ Cooper, Robin K. . GlobalFoundries bygger Abu Dhabi-fabrikken i 2012  (24. maj 2011). Arkiveret fra originalen den 2. juni 2011. Hentet 7. november 2011.
  50. ↑ Fantastiske steder . Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Hentet 21. april 2012. Arkiveret fra originalen 8. september 2018.
  51. ↑ 1 2 TSMC erhverver PSC-jord til New Fab Construction , Taiwan Economic News (13. januar 2011). Arkiveret fra originalen den 24. juli 2011. Hentet 13. januar 2011.
  52. ↑ Intel, Micron åbner US$3 milliarder NAND flash-facilitet i Singapore , DigiTimes (11. april 2011). Arkiveret fra originalen den 6. august 2020. Hentet 11. april 2011.
  53. ↑ Om NXP . Hentet 25. september 2012. Arkiveret fra originalen 4. oktober 2012.
  54. ↑ IBM's banebrydende $2,5 milliarder Fab høster $500 millioner i NY Incentives , The Site Selection (1. november 2000). Arkiveret fra originalen den 7. september 2011. Hentet 16. april 2011.
  55. ↑ IBMs $2,5B fab forvandler Hudson til silicon valley , EE Times (2002-8-05). Arkiveret fra originalen den 3. oktober 2012. Hentet 27. maj 2011.
  56. ↑ 1 2 3 4 5 6 300 mm Wafer Fabrication Arkiveret 28. maj 2015 på Wayback Machine // Colleges of Nanoscale Science and Engineering
  57. ↑ 200 mm Wafer Fabrication (ikke tilgængeligt link) . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 25. december 2010. 
  58. ↑ 1 2 Støberitjenester (link utilgængeligt) . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 20. juli 2011. 
  59. ↑ Freescale Austin Technology & Manufacturing Center . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 12. oktober 2011.
  60. ↑ Freescale Chandler Fab . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 12. oktober 2011.
  61. ↑ Motorola genstarter MOS 12 Facility Expansion , Electronic News (1999). Arkiveret fra originalen den 8. juli 2012. Hentet 6. oktober 2011.
  62. ↑ Freescale Oak Hill Fab . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 12. oktober 2011.
  63. ^ R&D-samarbejde på prøve: The Microelectronics and Computer Technology Corporation , Harvard Business School Press (1994). Arkiveret fra originalen den 10. juli 2015. Hentet 6. oktober 2011.
  64. ↑ Freescale Sendai Fab . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 12. oktober 2011.
  65. ↑ Freescale Toulouse Fab . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 12. oktober 2011.
  66. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 SMIC - Fab Information (ikke tilgængeligt link) . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 27. november 2011. 
  67. ↑ 1 2 3 4 Win-Win Collaboration & Partnership in Semiconductor Ecosystem From Foundry Perspective Arkiveret 7. marts 2016 på Wayback Machine / GSA Forum på SEMICON Japan 2013, Dr. TY Chiu (CEO SMIC), side 25
  68. ↑ Kina forstyrrer amerikanske planer. Landet startede selvstændig produktion af chips efter moderne standarder . cnews.ru . Hentet: 20. september 2022.
  69. ↑ webmaster. SMIC overtager HiSilicon SoC-masseproduktion på 14nm FinFET-proces | THG.RU. _ www.thg.ru (22. juli 2017). Hentet: 20. september 2022.
  70. ↑ 1 2 Memory Product Foundry (link utilgængeligt) . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 8. oktober 2011. 
  71. ↑ MagnaChip ups capex, tips 130-nm proces  (downlink)
  72. ↑ ProMOS går til 70nm DRAM , SOFTPEDIA (13. august 2007). Arkiveret fra originalen den 18. oktober 2012. Hentet 27. maj 2011.
  73. ↑ Rekord fab konstruktion nået i andet kvartal, siger rapport , EE Times (2. juli 2004). Arkiveret fra originalen den 3. oktober 2012. Hentet 31. maj 2011.
  74. ↑ Renesas sælger amerikansk fab til Telefunken , EE Times (30. marts 2011). Hentet 31. maj 2011.
  75. ↑ 1 2 3 4 5 Hynix fremskynder pensionering af 200 mm-fabrikationsanlæg  (utilgængeligt link)
  76. ↑ 1 2 Fujitsu konstruerer ny Fab til Logic Chips, der anvender 65nm procesteknologi og 300 mm wafers . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 3. april 2012.
  77. ↑ 12 Gresham , USA . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 5. december 2011.
  78. ↑ 12 Pocatello , USA . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 16. august 2011.
  79. ↑ Greenock, Skotland . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 26. oktober 2011.
  80. ↑ 1 2 3 South Portland, Maine (link utilgængeligt) . Hentet 7. november 2011. Arkiveret fra originalen 20. juni 2011. 
  81. ↑ SAMSUNG, 2011 .
  82. ↑ Samsungs Austin Logic Line slår rekordpræstationer , Samsung (5. december 2011). Arkiveret fra originalen den 12. maj 2012. Hentet 18. maj 2012.
  83. ↑ 1 2 3 4 TowerJazz Manufacturing . Hentet 25. september 2012. Arkiveret fra originalen 14. juni 2012.
  84. ↑ 1 2 3 4 5 6 Fremstillingsoversigt  - Tower Semiconductor  ? . towersemi.com (18. januar 2018). Hentet: 1. september 2022.
  85. ↑ GSA, 2009 , s. 85.
  86. ↑ Fabrik købt hos Micron i 2011 og lukket i 2014. TowerJazz rapporterer om de bedste resultater i virksomhedens historie - Tower   Semiconductor ? . towersemi.com (13. februar 2017). Hentet: 1. september 2022.
  87. ↑ "TowerJazz fuldfører erhvervelsen af ​​Maxims fabrikationsanlæg i San Antonio, Texas"  (februar 2016).
  88. ↑ 1 2 TPSCo Oversigt og historie - Tower   Semiconductor ? . towersemi.com (7. april 2021). Hentet: 1. september 2022.

Litteratur

Links