Alexander Alexandrovich Lebedev | |
---|---|
Fødselsdato | 1959 |
Land | USSR → Rusland |
Videnskabelig sfære | halvlederfysik |
Arbejdsplads |
FTI RAS , St. Petersburg Elektrotekniske Universitet |
Alma Mater | LETI |
Akademisk grad | Doktor i fysiske og matematiske videnskaber |
Akademisk titel | Professor |
Mediefiler på Wikimedia Commons |
Aleksandr Aleksandrovich Lebedev (født 1959 , USSR) er en sovjetisk og russisk eksperimentel fysiker . Specialiseret sig i studiet af de fysiske egenskaber af siliciumcarbid og andre halvledere med brede mellemrum , udvikler enheder baseret på sådanne materialer. Forfatter til mere end 300 videnskabelige artikler om dette emne. På nuværende tidspunkt er han leder af laboratoriet og afdelingen ved Fysisk-Teknisk Institut. A. F. Ioffe RAS , bjerge. Sankt Petersborg . doktor i fysiske og matematiske videnskaber, professor.
Født i 1959. Sønnen og fulde navnebror til Alexander Aleksandrovich Lebedev (1929-1999), en fysiker, Doctor of Sciences, som arbejdede hele sit liv på Fysioteknisk Institut. Moren til Lebedev Jr., Maya Avgustovna (1929-2003), er en videnskabskandidat, også ansat ved Fysisk Teknisk Institut. Farfar, Alexander Alekseevich (1893-1969), var optiker, ansat ved Statens Optiske Institut , akademiker ved USSR Academy of Sciences [1] .
Efter at have afsluttet sine studier på LETI , blev han ansat af Fysioteknisk Institut i laboratoriet, derefter ledet af V. E. Chelnokov . Han optrådte på instituttet som studerende (som praktikant i I. V. Grekhovs laboratorium ). I sine første arbejdsår interagerede han aktivt med sin far, sammen udgav de flere artikler. Hos Phystech gennemgik Lebedev alle trin på karrierestigen fra senior laboratorieassistent til lederen af laboratoriet og samtidig afdelingen for Solid State Electronics. Han blev doktor i fysiske og matematiske videnskaber [2] .
Sideløbende med sit videnskabelige arbejde underviste han ved St. Petersborgs elektrotekniske universitet [3] . Nu varetager han stillingen som professor ved Institut for Optoelektronik.
I 2019 var han en af tre kandidater til posten som direktør for FTI RAS [2] .
Vinder af prisen for regeringen i Skt. Petersborg for fremragende videnskabelige resultater inden for videnskab og teknologi i 2020: i udnævnelsen af fysik og astronomi - prisen. A.F. Ioffe (dekret fra regeringen i Skt. Petersborg af 21. december 2020 nr. 1115) til undersøgelse af siliciumcarbids elektriske egenskaber og udvikling af anordninger baseret på det [4] .
Lebedev er specialist inden for fysik, teknologi og instrumentelle anvendelser af halvledere med brede mellemrum , primært siliciumcarbid . Med hans deltagelse [2] :
Forfatter til mere end 300 publikationer, herunder monografier og 6 copyright-certifikater og patenter [5] .
I samarbejde med Lebedevs laboratorium og Svetlana-Elektronpribor PJSC blev en teknologi til fremstilling af højfrekvente SiC- stiftdioder udviklet og implementeret , og produktionen af SiC-enkeltkrystaller blev også organiseret.
Forberedte tre videnskabskandidater.
Han er medlem af to afhandlingsråd , er medlem af redaktionen for tidsskriftet "Advanced Materials Letters".
Medlem af det videnskabelige råd for det russiske videnskabsakademi "Radiation Solid State Physics" siden 2020 [6] . Medlem af ekspertrådet for Russian Science Foundation , koordinator for sektionen: fysik og rumvidenskab [7] .
Han er medlem af programudvalgene for en række internationale konferencer om siliciumcarbids fysik og relaterede materialer [2] .