Korolkov, Vladimir Iljitj
Den aktuelle version af siden er endnu ikke blevet gennemgået af erfarne bidragydere og kan afvige væsentligt fra den version , der blev gennemgået den 4. juli 2019; checks kræver 8 redigeringer .| Vladimir Ilyich Korolkov | |
|---|---|
| Fødselsdato | 1938 |
| Videnskabelig sfære | fysik af heterojunctions |
| Priser og præmier |
  |
Vladimir Ilyich Korolkov - sovjetisk og russisk fysiker, doktor i fysiske og matematiske videnskaber, professor, vinder af Lenin-prisen (1972).
Født i 1938
Han arbejdede på Physico-Technical Institute (PTI) opkaldt efter. A. F. Ioffe fra Akademiet for Videnskaber i USSR (RAS) : Juniorforsker, seniorforsker, leder af Laboratoriet for Optoelektronik.
Han var medlem af en gruppe videnskabsmænd ( Zh.I. Alferov , V.M. Andreev, D.Z. Garbuzov , V.I. Korolkov , V.I.D.N. Tretyakov,
I 1967 forsvarede han sin ph.d.-afhandling om emnet "Elektriske egenskaber af epitaksiale strukturer med P-P HOMO og heterojunctions i Ga P-GaAs-systemet".
I 1979 forsvarede han sin doktorafhandling:
- Elektriske og fotoelektriske fænomener i ALGaAs heterostrukturer og deres anvendelse i halvlederenheder: afhandling ... doktor i fysiske og matematiske videnskaber: 01.04.10. - Leningrad, 1979. - 371 s. : syg.
Området med videnskabelige interesser er fysikken i heterojunctions, elektroniske og optoelektroniske enheder baseret på dem.
Professor ved afdelingen for TTE , St. Petersburg State Technical University. Forfatter til mere end 250 publicerede værker og opfindelser. Udgivelser:
- Dioder, transistorer og tyristorer baseret på heterostrukturer / V. I. Korolkov, N. Rakhimov; Rep. udg. Zh. I. Alferov ; Namangan. stat ped. in-t im. H.H. Niyazi. - Tasjkent: Fan, 1986. - 150, [2] s. : ill.; 20 cm
- Heterobipolære transistorer / V. I. Korolkov. - Sankt Petersborg. : FTI, 1999. - 23 s. : ill.; 20 cm - (Preprint / Russian Acad. Sciences. Phys.-Tech. Institute opkaldt efter A. F. Ioffe; 1733).
- Zh. I. Alferov, V. M. Efanov, Yu. M. Zadiranov, A. F. Kardo-Sysoev, V. I. Korolkov, S. I. Ponomarev, A. V. Rozhkov // JTF Letters, T .12, 1281 (1986).
- Injektionsegenskaber af n-AlxGai.xAs-pGaAs heterojunctions / Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. I. Korolkov, E. L. Portnoy, D. N. Tretyakov. // FTP. 1968. - V. 2. - S. 1016-1019.
Lenin-prisen i 1972 (som del af et team) - for grundlæggende forskning i heterojunctions i halvledere og skabelsen af nye enheder baseret på dem.
Tildelt Æresordenen (1999). [1] Ved afgørelse fra Det Akademiske Råd af 07/05/2019 blev han nomineret til titlen som hædret videnskabsmand i Den Russiske Føderation . [2]