| Alexey Evgenievich Zhukov | |
|---|---|
| Fødselsdato | 9. februar 1968 (54 år) |
| Fødselssted | Leningrad |
| Land | USSR → Rusland |
| Videnskabelig sfære | halvlederfysik |
| Arbejdsplads | A. F. Ioffe Fysisk-Teknisk Institut RAS |
| Alma Mater | Leningrad Elektrotekniske Institut |
| Akademisk grad | Doktor i fysiske og matematiske videnskaber (2002) |
| Akademisk titel |
Professor korresponderende medlem af det russiske videnskabsakademi (2008) |
Aleksey Evgenyevich Zhukov (født 1968) er specialist inden for halvleder nanostrukturer og elektroniske enheder baseret på dem, tilsvarende medlem af det russiske videnskabsakademi (2008).
Født 9. februar 1968 i Leningrad.
I 1992 dimitterede han med udmærkelse fra Institut for Optoelektronik ved Fakultetet for Elektronikteknik ved Leningrad Electrotechnical Institute (LETI), (i øjeblikket St. Petersburg State Electrotechnical University ).
I 1996 forsvarede han sin ph.d.-afhandling med emnet: "Quante-sized strained heterostructures in the (In,Ga,Al)As-systemet: Teknologi til opnåelse af molekylær stråleepitaxi og studiet af egenskaber."
I 2002 forsvarede han sin doktorafhandling med emnet: "Injektionslasere baseret på selvorganiserende kvanteprikker."
I 2008 blev han valgt til et tilsvarende medlem af det russiske videnskabsakademi .
Arbejds- og undervisningsaktivitet [2]
Forskningsinteresser: halvlederfysik, epitaksial vækst af halvlederforbindelser, lavdimensionelle heterostrukturer, halvlederlasere
Vigtigste videnskabelige resultater:
Forfatter til 276 udgivne værker.
Under hans ledelse blev 2 kandidat og 1 doktorafhandling forsvaret.